導體和半導體的說明

導體

        能良(liang)好的傳導(dao)(dao)電流的物(wu)體(ti)叫導(dao)(dao)體(ti)。用導(dao)(dao)體(ti)制成的電氣材(cai)料叫做導(dao)(dao)電材(cai)料，金屬(shu)(shu)是常用的導(dao)(dao)電材(cai)料。除了(le)金屬(shu)(shu)以(yi)外，其他(ta)如大地、人體(ti)、天然水和酸、堿、鹽類(lei)以(yi)及他(ta)們的溶液，都是導(dao)(dao)電體(ti)。

       金屬之(zhi)所(suo)以能夠良好的(de)(de)傳導(dao)電(dian)(dian)(dian)流，是由(you)(you)其原(yuan)(yuan)子(zi)(zi)結構決定(ding)的(de)(de)。金屬原(yuan)(yuan)子(zi)(zi)最(zui)(zui)外層的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)與原(yuan)(yuan)子(zi)(zi)核(he)結合的(de)(de)比較松散，因(yin)此這(zhe)部分(fen)電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)很(hen)容(rong)易脫(tuo)離自己的(de)(de)原(yuan)(yuan)子(zi)(zi)核(he)而和別的(de)(de)原(yuan)(yuan)子(zi)(zi)核(he)結合，失去電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)的(de)(de)原(yuan)(yuan)子(zi)(zi)又有新的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)來結合，這(zhe)樣一(yi)連(lian)串的(de)(de)過程(cheng)就是導(dao)電(dian)(dian)(dian)的(de)(de)過程(cheng)。銀的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)阻(zu)系數(shu)最(zui)(zui)小(xiao)，導(dao)電(dian)(dian)(dian)性(xing)能最(zui)(zui)好，但(dan)由(you)(you)于其價(jia)格昂貴，只在極少(shao)數(shu)地方如(ru)開(kai)關(guan)觸頭等處采用，一(yi)般電(dian)(dian)(dian)氣設備(bei)中應(ying)用最(zui)(zui)廣泛的(de)(de)導(dao)體材(cai)料是銅(tong)和鋁。

       還有一些材料(liao)雖(sui)然(ran)能導電(dian)(dian)(dian)，但電(dian)(dian)(dian)阻系數較大，人(ren)們常(chang)常(chang)把它作為(wei)電(dian)(dian)(dian)阻材料(liao)或電(dian)(dian)(dian)熱材料(liao)應用于某些電(dian)(dian)(dian)器中(zhong)，比如用作電(dian)(dian)(dian)爐(lu)或電(dian)(dian)(dian)烤(kao)箱中(zhong)的電(dian)(dian)(dian)熱絲等。

半導體

        所謂(wei)半導體(ti)(ti)，顧名(ming)思義就是它的(de)導電能力介于導體(ti)(ti)和絕(jue)緣體(ti)(ti)之間(jian)。如(ru)硅、鍺、硒以及大(da)多數金屬(shu)氧化物和硫化物都是半導體(ti)(ti)。

      半導(dao)體的導(dao)電(dian)能力(li)在不同條(tiao)件有很大的差別。如(ru)有些半導(dao)體（如(ru)鈷、錳(meng)、鎳等(deng)的氧化(hua)物(wu)）對溫度的反應特(te)別靈敏(min)，環境(jing)溫度升高時，他們的導(dao)電(dian)能力(li)會(hui)增強(qiang)很多。利(li)用(yong)這(zhe)種特(te)性就可以做成各種熱(re)敏(min)電(dian)阻(zu)。又(you)如(ru)有些半導(dao)體（如(ru)鎘、鉛等(deng)的硫化(hua)物(wu)與硒化(hua)物(wu)）受到光(guang)照(zhao)時，它(ta)們的導(dao)電(dian)能力(li)會(hui)變得很強(qiang)；當無照(zhao)射時，它(ta)們又(you)會(hui)變得像絕(jue)緣體那樣不導(dao)電(dian)。利(li)用(yong)這(zhe)種特(te)性就可以做成各種光(guang)敏(min)電(dian)阻(zu)。

       更重(zhong)要的是，如果在純(chun)凈(jing)的半導體中摻入微量的某種雜質后，他的導電(dian)能力(li)幾十萬乃至(zhi)幾百萬倍。如在純(chun)硅中摻入百萬分之一的硼后，硅的電(dian)阻率就從大約2×10∧3Ω·m減小(xiao)到4×10∧-3Ω·m左右。利用(yong)這種特性就可(ke)以做成(cheng)各種不(bu)同用(yong)途的半導體器件，如二(er)極管、晶體管、場效應晶體管及晶閘管等。